Module Experience (MEX)
Le Module EXPERIENCE (MEX) est consacré à l'étude des effets des rayonnements issus de l'environnement spatial sur les composants électroniques. Les types d'effets visés sont la dose ionisante, les effets singuliers et les effets de déplacement. Divers véhicules de test (DUT) ont été choisis dans une liste de dispositifs très sensibles identifiés à partir d'essais réalisés au sol (mémoires, composants linéaires et optoélectroniques, MOSFET de puissance...).
Le MEX est composé d'une partie analogique et d'une partie logique contrôlées par un FPGA et son buffer mémoire. La partie analogique comporte des circuits de mesure reliés au FPGA par l'intermédiaire d'ADCs et de DACs et commande les parties dosimétrie, effet de dose et de déplacement ainsi que la partie SEE (hors SEU). La partie logique est constituée de deux blocs consacrés à la détection des SEU.
La figure ci-dessous montre le Modèle d'ingénierie du MEX et son boîtier. Le MEX est situé sur le fond de l'instrument ICARE-NG. Son boîtier sert de fixation à l'instrument complet ICARE-NG sur la face interne de mur satellite. De cette façon, le MEX est le plus exposé aux rayonnements venant de l'extérieur du satellite.
Carte du Modèle d'Ingénierie du MEX localisée sur le dessous de l'instrument
Le module EXPERIENCE peut être changé facilement d'une mission à l'autre. L'instrument ICARE-NG fonctionne même si aucun module EXPERIENCE n'est connecté.
Des dosimètres permettent de mesurer avec précision la dose ionisante rencontrée par les instruments CARMEN. Le MEX embarque deux types de dosimètres : deux RADFET réalisés par la société TRAD ainsi qu'un dosimètre OSL (luminescence optiquement stimulée) développé par l'Institut d'Électronique du Sud de l'Université Montpellier II. Tous les dosimètres sont placés dans le même secteur afin d'obtenir des mesures comparables.
 Dosimètre RADFET de la société TRAD |  Dosimètre OSL de l'IES Montpellier II |
Les véhicules de test embarqués à bord des différentes missions CARMEN sont listés dans le tableau ci-dessous avec le type d'effet qu'ils adressent.
| DUT Références | Fonction | Nombre de DUT/MEX | Effet | Missions CARMEN |
| HITACHI HM628512C | SRAM 512k x 8 bits | 2 | SEU | 1, 2 |
| BSI BS616LV1611TI | SRAM 1M x 16 bits | 1 | SEU | 3, 4 |
| SAMSUNG KM6840000A | SRAM 512k x 8 bits | 2 | SEU | 1, 2 |
| CYPRESS CY62167EV30 | SRAM 1M x 16 bits | 1 | SEU | 3, 4 |
| 3D+ MMSR32001608S-C | SRAM 2M x 16 bits | 1 | SEU | 1, 2 |
| 3D+ 3DSR32M32VS8504 | SRAM 32M x 32 bits | 1 | SEU | 3, 4 |
| SAMSUNG K7A81800M 6 | SSRAM 512k x 16 bits | 1 | SEU | 1, 2, 3, 4 |
| IDT IDT71V3558S133PSI | SSRAM 256k x 16 bits | 1 | SEU | 1, 2, 3, 4 |
| INFINEON HYB39S512800AT | SDRAM 64M x 8 bits | 2 | SEU | 1, 2, 3, 4 |
| MICRON MT48LC64M8A2 | SDRAM 64M x 8 bits | 2 | SEU | 1, 2, 3, 4 |
| 3D+ MMSD08512408S-Y SDRAM | SDRAM 512M x 8 bits | 2 | SEU | 1, 2 |
| 3D+ 3DSD4G08VS8184 | SDRAM 512M x 8 bits | 2 | SEU | 3, 4 |
| SAMSUNG K4S560432C SDRAM | SDRAM 64M x 4 bits | 2 | SEU | 1, 2, 3, 4 |
| SAMSUNG KM44V16004B | DDRAM 16M x 4 bits | 2 | SEU | 1, 2 |
| CYPRESS CY7C1069 SRAM | SRAM 2M x 8 bits | 1 | SEL | 1, 2, 3, 4 |
| BSI BS616LV1611TI | SRAM 1M x 16 bits | 1 | SEL | 3, 4 |
| INTERNATIONAL RECTIFIER IRF360 400V | N-channel power MOSFET | 4 | SEB | 1, 2, 3, 4 |
| NATIONAL SEMICONDUCTORS LM324 | Operational amplifier | 1 | SET | 1, 2, 3, 4 |
| NATIONAL SEMICONDUCTORS LM139 | Voltage comparator | 1 | SET | 1, 2 |
| ANALOG DEVICES OP470 | Operational amplifier | 1 | SET/SEDR | 1, 2, 3, 4 |
| MAXIM MAX663E | Dual Mode Regulator | 1 | TID | 1, 2, 3, 4 |
| MAXIM MAX664E | Dual Mode Regulator | 1 | TID | 1, 2, 3, 4 |
| OSRAM BPW34F | Photodiode | 1 | DDD | 1, 2, 3, 4 |
| IES OSL | Dosimeter | 1 | TID/DDD | 1, 2, 3, 4 |
| TRAD Space Dosimeter | Dosimeter | 2 | TID | 1, 2, 3, 4 |
